SQJ262EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details SQJ262EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJ262EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0126 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0126ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0126ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote SQJ262EP-T1_GE3 nach Preis ab 0.92 EUR bis 3.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SQJ262EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
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SQJ262EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 5552 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJ262EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ262EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0126 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0126ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0126ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 2818 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SQJ262EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ262EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0126 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0126ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0126ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 2818 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQJ262EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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| 500+ | 1.13 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |
| SQJ262EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified
MOSFETs Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.42 EUR |
| 10+ | 2.2 EUR |
| 100+ | 1.48 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
| 3000+ | 0.92 EUR |
| SQJ262EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ262EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0126 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0126ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0126ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - SQJ262EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0126 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0126ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0126ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2818 Stücke:
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| SQJ262EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ262EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0126 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0126ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
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Description: VISHAY - SQJ262EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0126 ohm
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
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Produktpalette: TrenchFET Series
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