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SQJ409EP-T1_GE3

SQJ409EP-T1_GE3 Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
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Technische Details SQJ409EP-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQJ409EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 68W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQJ409EP-T1_GE3 SQJ409EP-T1_GE3 Vishay sqj409ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 83000 Stücke:
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auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+1.67 EUR
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SQJ409EP-T1_GE3 SQJ409EP-T1_GE3 Vishay sqj409ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 83000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.48 EUR
88+1.94 EUR
113+1.45 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.9 EUR
3000+0.81 EUR
6000+0.73 EUR
9000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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SQJ409EP-T1_GE3 SQJ409EP-T1_GE3 VISHAY sqj409ep.pdf Description: VISHAY - SQJ409EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 6782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
122+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQJ409EP-T1_GE3 SQJ409EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqj409ep.pdf MOSFET -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 73364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.81 EUR
10+2.31 EUR
100+1.78 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.15 EUR
6000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SQJ409EP-T1_GE3 SQJ409EP-T1_GE3 VISHAY sqj409ep.pdf Description: VISHAY - SQJ409EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 6782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.82 EUR
89+2.62 EUR
122+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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SQJ409EP-T1_GE3 SQJ409EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj409ep.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.56 EUR
100+1.73 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 83000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
167+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.2 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+1.67 EUR
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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88+1.94 EUR
113+1.45 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.9 EUR
3000+0.81 EUR
6000+0.73 EUR
9000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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SQJ409EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ409EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 6782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.62 EUR
122+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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10+2.31 EUR
100+1.78 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.15 EUR
6000+1.13 EUR
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ409EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
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66+3.82 EUR
89+2.62 EUR
122+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1500+1.29 EUR
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Description: MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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