SQJ414EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SQJ414EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SQJ414EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0098 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQJ414EP-T1_GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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SQJ414EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SQJ414EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0098 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
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SQJ414EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJ414EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ414EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0098 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ414EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQJ414EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
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SQJ414EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
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SQJ414EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
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SQJ414EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |