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SQJ414EP-T1_GE3

SQJ414EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors

sqj414ep.pdf
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET Dual N-Ch 30V AEC-Q101 Qualified
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Technische Details SQJ414EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SQJ414EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQJ414EP-T1_GE3 SQJ414EP-T1_GE3 VISHAY 2687548.pdf Description: VISHAY - SQJ414EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2915 Stücke:
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123+1.89 EUR
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SQJ414EP-T1_GE3 SQJ414EP-T1_GE3 VISHAY 2687548.pdf Description: VISHAY - SQJ414EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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SQJ414EP-T1_GE3 SQJ414EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj414ep.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
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SQJ414EP-T1_GE3 2687548.pdf
SQJ414EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ414EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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SQJ414EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ414EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
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