Produkte > VISHAY SILICONIX > SQJ415EP-T1_GE3
SQJ415EP-T1_GE3

SQJ415EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj415ep.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SQJ415EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote SQJ415EP-T1_GE3 nach Preis ab 0.45 EUR bis 1.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqj415ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
232+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 232
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqj415ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
107+1.47 EUR
129+ 1.17 EUR
130+ 1.12 EUR
135+ 1.04 EUR
165+ 0.81 EUR
250+ 0.77 EUR
500+ 0.63 EUR
1000+ 0.48 EUR
3000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 107
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqj415ep.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+1.55 EUR
14+ 1.27 EUR
100+ 0.99 EUR
500+ 0.84 EUR
1000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 12
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sqj415ep.pdf MOSFET -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 4236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.57 EUR
10+ 1.29 EUR
100+ 1 EUR
500+ 0.85 EUR
1000+ 0.69 EUR
3000+ 0.65 EUR
6000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 2611861.pdf Description: VISHAY - SQJ415EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
auf Bestellung 6190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 2611861.pdf Description: VISHAY - SQJ415EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
auf Bestellung 6190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqj415ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar