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SQJ422EP-T1_GE3

SQJ422EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj422ep.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.39 EUR
6000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details SQJ422EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJ422EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm.

Weitere Produktangebote SQJ422EP-T1_GE3 nach Preis ab 0.96 EUR bis 5.55 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQJ422EP-T1_GE3 SQJ422EP-T1_GE3 Vishay sqj422ep.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 5568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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SQJ422EP-T1_GE3 SQJ422EP-T1_GE3 Vishay sqj422ep.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 5568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.8 EUR
76+2.15 EUR
78+2.03 EUR
100+1.61 EUR
250+1.42 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.99 EUR
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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SQJ422EP-T1_GE3 SQJ422EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0020355300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ422EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 3016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.34 EUR
102+2.11 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQJ422EP-T1_GE3 SQJ422EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqj422ep.pdf MOSFETs -40V 75A 83W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 10123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+2.64 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.43 EUR
3000+1.27 EUR
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SQJ422EP-T1_GE3 SQJ422EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj422ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.86 EUR
10+3.12 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SQJ422EP-T1_GE3 SQJ422EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0020355300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ422EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 3016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.55 EUR
70+3.34 EUR
102+2.11 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 5568 Stücke:
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auf Bestellung 5568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
63+2.8 EUR
76+2.15 EUR
78+2.03 EUR
100+1.61 EUR
250+1.42 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.99 EUR
3000+0.96 EUR
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SQJ422EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ422EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
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SQJ422EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11922 Stücke:
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5+4.86 EUR
10+3.12 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.57 EUR
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SQJ422EP-T1_GE3 VISH-S-A0020355300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ422EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ422EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 3016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.55 EUR
70+3.34 EUR
102+2.11 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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