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SQJ431AEP-T1_GE3

SQJ431AEP-T1_GE3 Vishay


sqj431aep.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP
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Technische Details SQJ431AEP-T1_GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqj431aep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP
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SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqj431aep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP
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SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sqj431aep.pdf MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
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SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 2687549.pdf Description: VISHAY - SQJ431AEP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.254 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.254ohm
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SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 2687549.pdf Description: VISHAY - SQJ431AEP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.254 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
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Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
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SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqj431aep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP
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SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqj431aep.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqj431aep.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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