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SQJ457EP-T1_BE3

SQJ457EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

sqj457ep.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details SQJ457EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote SQJ457EP-T1_BE3 nach Preis ab 0.41 EUR bis 2.55 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SQJ457EP-T1_BE3 SQJ457EP-T1_BE3 Hersteller : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
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SQJ457EP-T1_BE3 SQJ457EP-T1_BE3 Hersteller : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
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SQJ457EP-T1_BE3 SQJ457EP-T1_BE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sqj457ep.pdf MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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SQJ457EP-T1_BE3 SQJ457EP-T1_BE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqj457ep.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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SQJ457EP-T1_BE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqj457ep.pdf 60V, 36A max P-Channel TrenchFET Power MOSFET, 25mOhm @ Vgs = 10V
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