SQJ457EP-T1_BE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.43 EUR |
| 10+ | 1.54 EUR |
| 100+ | 1.03 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| 3000+ | 0.64 EUR |
| 6000+ | 0.62 EUR |
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Technische Details SQJ457EP-T1_BE3 Vishay / Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SQJ457EP-T1_BE3 nach Preis ab 2.07 EUR bis 2.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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| SQJ457EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix |
60V, 36A max P-Channel TrenchFET Power MOSFET, 25mOhm @ Vgs = 10V Транзистори |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ457EP-T1_BE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
60V, 36A max P-Channel TrenchFET Power MOSFET, 25mOhm @ Vgs = 10V Транзистори
60V, 36A max P-Channel TrenchFET Power MOSFET, 25mOhm @ Vgs = 10V Транзистори
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 2.07 EUR |


