SQJ457EP-T1_GE3 Vishay
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.66 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SQJ457EP-T1_GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SQJ457EP-T1_GE3 nach Preis ab 0.47 EUR bis 2.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQJ457EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 2720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ457EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ457EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ457EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 2720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ457EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 34286 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ457EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 134944 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ457EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
auf Bestellung 1392 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SQJ457EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
auf Bestellung 1392 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
SQJ457EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SQJ457EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| SQJ457EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -36A; Idm: -100A; 22W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -36A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 22W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.1µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
| SQJ457EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -36A; Idm: -100A; 22W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -36A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 22W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.1µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
Produkt ist nicht verfügbar |