SQJ463EP-T1_GE3 Vishay
Hersteller: VishaySQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com
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Technische Details SQJ463EP-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQJ463EP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, Dauer-Drainstrom Id: 18, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.9, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SQJ463EP-T1_GE3 nach Preis ab 2.05 EUR bis 7.08 EUR
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SQJ463EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com |
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SQJ463EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
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SQJ463EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ423EP-T1_GE3 |
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SQJ463EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
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SQJ463EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ463EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: To Be Advised |
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SQJ463EP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 40V 30A 83W P-Ch Automotive |
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SQJ463EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ463EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm |
auf Bestellung 2363 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ463EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ463EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com |
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SQJ463EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com |
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| SQJ463EP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
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SQJ463EP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ463EP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 18 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.9 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008 SVHC: To Be Advised |
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| SQJ463EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
SQJ463EP-T1-GE3 SMD P channel transistors |
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SQJ463EP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8 |
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