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SQJ465EP-T1-GE3

SQJ465EP-T1-GE3 Vishay

sqj465ep.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2794 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details SQJ465EP-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj465ep.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.02 EUR
6000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 VISHAY SQJ465EP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8A; 15W; PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 15W
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 2744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.71 EUR
65+1.31 EUR
72+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ465EP-T1-GE3 SQJ465EP-T1-GE3 Vishay sqj465ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.23 EUR
96+1.76 EUR
123+1.32 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0001234591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.25 EUR
500+2.02 EUR
1500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj465ep.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
11+2.02 EUR
100+1.57 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqj465ep.pdf MOSFETs -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 20649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+2.76 EUR
100+1.89 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.38 EUR
3000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0001234591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.84 EUR
77+3.02 EUR
100+2.25 EUR
500+2.02 EUR
1500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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SQJ465EP-T1_GE3 sqj465ep.pdf
SQJ465EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.02 EUR
6000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP.pdf
SQJ465EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8A; 15W; PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 15W
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 2744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.71 EUR
65+1.31 EUR
72+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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SQJ465EP-T1-GE3 sqj465ep.pdf
SQJ465EP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
79+2.23 EUR
96+1.76 EUR
123+1.32 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ465EP-T1_GE3 VISH-S-A0001234591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ465EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.25 EUR
500+2.02 EUR
1500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQJ465EP-T1_GE3 sqj465ep.pdf
SQJ465EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.48 EUR
11+2.02 EUR
100+1.57 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SQJ465EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 20649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.32 EUR
10+2.76 EUR
100+1.89 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.38 EUR
3000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ465EP-T1_GE3 VISH-S-A0001234591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ465EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+4.84 EUR
77+3.02 EUR
100+2.25 EUR
500+2.02 EUR
1500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH