SQJ476EP-T1_GE3 Vishay
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.54 EUR |
| 6000+ | 0.51 EUR |
| 9000+ | 0.48 EUR |
| 24000+ | 0.46 EUR |
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Technische Details SQJ476EP-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQJ476EP-T1_GE3 nach Preis ab 0.44 EUR bis 2.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SQJ476EP-T1_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ476EP-T1_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ476EP-T1_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ476EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 14637 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJ476EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8FET Type: N-Channel Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJ476EP-T1_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 1303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ476EP-T1_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 1303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ476EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 12763 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJ476EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 13250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ476EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 13250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ476EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.54 EUR |
| 6000+ | 0.5 EUR |
| 9000+ | 0.46 EUR |
| 24000+ | 0.44 EUR |
| SQJ476EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.56 EUR |
| SQJ476EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.56 EUR |
| SQJ476EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 14637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 0.63 EUR |
| SQJ476EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Description: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.63 EUR |
| 6000+ | 0.58 EUR |
| 9000+ | 0.57 EUR |
| SQJ476EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 211+ | 0.83 EUR |
| 212+ | 0.82 EUR |
| 256+ | 0.67 EUR |
| 257+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.52 EUR |
| SQJ476EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 176+ | 1 EUR |
| 211+ | 0.81 EUR |
| 212+ | 0.77 EUR |
| 256+ | 0.62 EUR |
| 257+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
| SQJ476EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 2.05 EUR |
| 15+ | 1.43 EUR |
| 100+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| SQJ476EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 13250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 91+ | 2.75 EUR |
| 141+ | 1.64 EUR |
| 206+ | 1.05 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |
| 5000+ | 0.68 EUR |
| SQJ476EP-T1_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 13250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.75 EUR |
| 141+ | 1.64 EUR |
| 206+ | 1.05 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |
| 5000+ | 0.68 EUR |





