SQJ479EP-T1_GE3 Vishay
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Technische Details SQJ479EP-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQJ479EP-T1_GE3 nach Preis ab 0.59 EUR bis 2.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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SQJ479EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
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SQJ479EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 34000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJ479EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ479EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ479EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ479EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ479EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 35200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJ479EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 50767 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJ479EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4063 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ479EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ479EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ479EP-T1_GE3 Produktcode: 194623
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