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SQJ479EP-T1_GE3

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Produktcode: 194623
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
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SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.24 EUR
159+1.02 EUR
175+0.9 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 VISHAY 3006516.pdf Description: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.39 EUR
136+1.58 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.24 EUR
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqj479ep.pdf MOSFETs P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 38033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.82 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.98 EUR
3000+0.9 EUR
6000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj479ep.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.42 EUR
10+2.17 EUR
100+1.45 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 VISHAY 3006516.pdf Description: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.68 EUR
98+2.39 EUR
136+1.58 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.24 EUR
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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SQJ479EP-T1"GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQJ479EP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 32A, POWERPAKSO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.12 EUR
78+3 EUR
94+2.3 EUR
118+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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SQJ479EP-T1_GE3 sqj479ep.pdf
SQJ479EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
159+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_GE3 sqj479ep.pdf
SQJ479EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
143+1.24 EUR
159+1.02 EUR
175+0.9 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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SQJ479EP-T1_GE3 sqj479ep.pdf
SQJ479EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SQJ479EP-T1_GE3 sqj479ep.pdf
SQJ479EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_GE3 sqj479ep.pdf
SQJ479EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SQJ479EP-T1_GE3 3006516.pdf
SQJ479EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.39 EUR
136+1.58 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.24 EUR
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ479EP-T1_GE3 sqj479ep.pdf
SQJ479EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 38033 Stücke:
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2+2.62 EUR
10+1.82 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.98 EUR
3000+0.9 EUR
6000+0.87 EUR
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SQJ479EP-T1_GE3 sqj479ep.pdf
SQJ479EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.42 EUR
10+2.17 EUR
100+1.45 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SQJ479EP-T1_GE3 3006516.pdf
SQJ479EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+3.68 EUR
98+2.39 EUR
136+1.58 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.24 EUR
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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SQJ479EP-T1"GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ479EP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 32A, POWERPAKSO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+5.12 EUR
78+3 EUR
94+2.3 EUR
118+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH