SQJ560EP-T1_GE3 Vishay
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Technische Details SQJ560EP-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQJ560EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0099 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 34W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 34W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQJ560EP-T1_GE3 nach Preis ab 0.88 EUR bis 3.29 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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SQJ560EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
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SQJ560EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
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SQJ560EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ560EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L |
auf Bestellung 49684 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJ560EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
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SQJ560EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ560EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0099 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm Verlustleistung, p-Kanal: 34W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 34W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4482 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ560EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ560EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ560EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ560EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0099 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm Verlustleistung, p-Kanal: 34W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 34W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
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