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SQJ740EP-T1_GE3

SQJ740EP-T1_GE3 VISHAY

VISH-S-A0018268349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ740EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.17 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.54 EUR
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Technische Details SQJ740EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJ740EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 123A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 93W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQJ740EP-T1_GE3 SQJ740EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix MOSFETs Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL, 3.4 mohm a. 10V
auf Bestellung 3566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+3.17 EUR
100+2.2 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.65 EUR
3000+1.58 EUR
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SQJ740EP-T1_GE3 SQJ740EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0018268349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ740EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
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Produktpalette: TrenchFET Series
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Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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69+3.42 EUR
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Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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SQJ740EP-T1_GE3 Vishay Siliconix Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 93W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.02 EUR
10+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SQJ740EP-T1_GE3
SQJ740EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL, 3.4 mohm a. 10V
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10+3.17 EUR
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1000+1.65 EUR
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SQJ740EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ740EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2624 Stücke:
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44+5.7 EUR
69+3.42 EUR
100+2.17 EUR
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SQJ740EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 93W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 50 Stücke:
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6+4.02 EUR
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