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SQJ740EP-T1_GE3

SQJ740EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix


Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL, 3.4 mohm a. 10V
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Technische Details SQJ740EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 93W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL, Part Status: Active.

Weitere Produktangebote SQJ740EP-T1_GE3 nach Preis ab 3.03 EUR bis 3.38 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SQJ740EP-T1_GE3 SQJ740EP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY Description: VISHAY - SQJ740EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SQJ740EP-T1_GE3 SQJ740EP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY Description: VISHAY - SQJ740EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SQJ740EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL
Part Status: Active
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.38 EUR
10+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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SQJ740EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqj740ep.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 123A Automotive AEC-Q101 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SQJ740EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL
Part Status: Active
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