SQJ740EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL, 3.4 mohm a. 10V
MOSFETs Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL, 3.4 mohm a. 10V
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 3.84 EUR |
| 10+ | 2.66 EUR |
| 100+ | 1.85 EUR |
| 500+ | 1.5 EUR |
| 1000+ | 1.39 EUR |
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Technische Details SQJ740EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQJ740EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 123A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 93W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SQJ740EP-T1_GE3 nach Preis ab 3.03 EUR bis 3.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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SQJ740EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ740EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 93W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2624 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ740EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ740EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 93W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2624 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ740EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V ( Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 93W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL Part Status: Active |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ740EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 123A Automotive AEC-Q101 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ740EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V ( Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 93W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL Part Status: Active |
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