
SQJ740EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL, 3.4 mohm a. 10V
MOSFETs Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL, 3.4 mohm a. 10V
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Anzahl | Preis |
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1+ | 3.84 EUR |
10+ | 2.66 EUR |
100+ | 1.85 EUR |
500+ | 1.50 EUR |
1000+ | 1.39 EUR |
3000+ | 1.33 EUR |
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Technische Details SQJ740EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 93W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote SQJ740EP-T1_GE3 nach Preis ab 3.03 EUR bis 3.38 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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SQJ740EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ740EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2624 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ740EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ740EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2624 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ740EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V ( Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 93W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL Part Status: Active |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJ740EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ740EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V ( Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 93W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL Part Status: Active |
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