SQJ968EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SQJ968EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQJ968EP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 18, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028, Verlustleistung Pd: 25, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, Verlustleistung, p-Kanal: 25, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 25, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SQJ968EP-T1_GE3 nach Preis ab 0.89 EUR bis 1.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SQJ968EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 42W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 714pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
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SQJ968EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 23.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R |
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SQJ968EP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ968EP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 18 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028 Verlustleistung Pd: 25 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung, p-Kanal: 25 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 25 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: To Be Advised |
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SQJ968EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 42W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 714pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
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