Produkte > VISHAY SEMICONDUCTORS > SQJA00EP-T1_GE3

SQJA00EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors


sqja00ep.pdf
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 8455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.34 EUR
10+1.57 EUR
100+1.19 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.76 EUR
6000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 2 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SQJA00EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SQJA00EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0105 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SQJA00EP-T1_GE3 nach Preis ab 0.95 EUR bis 2.89 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQJA00EP-T1_GE3 SQJA00EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja00ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.89 EUR
12+1.82 EUR
50+1.36 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA00EP-T1_GE3 SQJA00EP-T1_GE3 VISHAY sqja00ep.pdf Description: VISHAY - SQJA00EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0105 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA00EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqja00ep-1079985.pdf MOSFET 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 2946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA00EP-T1_GE3 sqja00ep.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.89 EUR
12+1.82 EUR
50+1.36 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA00EP-T1_GE3 sqja00ep.pdf
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA00EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0105 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA00EP-T1_GE3 sqja00ep-1079985.pdf
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 2946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH