SQJA16EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details SQJA16EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJA16EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 278 A, 3000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 278A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SQJA16EP-T1_GE3 nach Preis ab 1.12 EUR bis 3.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SQJA16EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 38048 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJA16EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 6563 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJA16EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA16EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 278 A, 3000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 278A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SQJA16EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA16EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 278 A, 3000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 278A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQJA16EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 38048 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.48 EUR |
| 10+ | 2.08 EUR |
| 100+ | 1.65 EUR |
| 250+ | 1.58 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| 1000+ | 1.18 EUR |
| 3000+ | 1.12 EUR |
| SQJA16EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.48 EUR |
| 10+ | 2.24 EUR |
| 100+ | 1.52 EUR |
| 500+ | 1.22 EUR |
| 1000+ | 1.18 EUR |
| SQJA16EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA16EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 278 A, 3000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 278A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SQJA16EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 278 A, 3000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 278A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SQJA16EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA16EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 278 A, 3000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SQJA16EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 278 A, 3000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
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Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)