SQJA26EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.77mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9778 pF @ 25 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 1.52 EUR |
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Technische Details SQJA26EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJA26EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 410 A, 770 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 410A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 500W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 770µohm.
Weitere Produktangebote SQJA26EP-T1_GE3 nach Preis ab 1.5 EUR bis 6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SQJA26EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA26EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 410 A, 770 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 410A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 500W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 770µohm |
auf Bestellung 2493 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJA26EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.77mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9778 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJA26EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJA26EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA26EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 410 A, 770 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 410A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 500W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 770µohm |
auf Bestellung 2493 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJA26EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA26EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 410 A, 770 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 770µohm
Description: VISHAY - SQJA26EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 410 A, 770 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 770µohm
auf Bestellung 2493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.27 EUR |
| 500+ | 1.82 EUR |
| 1000+ | 1.69 EUR |
| SQJA26EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.77mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9778 pF @ 25 V
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.77mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9778 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.37 EUR |
| 10+ | 2.82 EUR |
| 100+ | 2.24 EUR |
| 500+ | 1.89 EUR |
| 1000+ | 1.61 EUR |
| SQJA26EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.96 EUR |
| 10+ | 3.17 EUR |
| 100+ | 2.2 EUR |
| 500+ | 1.76 EUR |
| 1000+ | 1.64 EUR |
| 3000+ | 1.5 EUR |
| SQJA26EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA26EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 410 A, 770 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 770µohm
Description: VISHAY - SQJA26EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 410 A, 770 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 410A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 770µohm
auf Bestellung 2493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 42+ | 6 EUR |
| 65+ | 3.62 EUR |
| 100+ | 2.27 EUR |
| 500+ | 1.82 EUR |
| 1000+ | 1.69 EUR |