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SQJA38EP-T1_GE3

SQJA38EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

sqja38ep.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Technische Details SQJA38EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQJA38EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SQJA38EP-T1_GE3 SQJA38EP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqja38ep.pdf Description: VISHAY - SQJA38EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
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Produktpalette: TrenchFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SQJA38EP-T1_GE3 SQJA38EP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqja38ep.pdf Description: VISHAY - SQJA38EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SQJA38EP-T1_GE3 SQJA38EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqja38ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
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SQJA38EP-T1_GE3 SQJA38EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqja38ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
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