SQJA61EP-T1_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA61EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 54.5 A, 0.0121 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.86 EUR |
| 117+ | 1.83 EUR |
| 500+ | 1.55 EUR |
| 1000+ | 1.4 EUR |
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Technische Details SQJA61EP-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJA61EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 54.5 A, 0.0121 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SQJA61EP-T1_GE3 nach Preis ab 0.99 EUR bis 4.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SQJA61EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 3725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJA61EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) |
auf Bestellung 503 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJA61EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA61EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 54.5 A, 0.0121 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1132 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJA61EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 3725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.56 EUR |
| 10+ | 2.28 EUR |
| 100+ | 1.58 EUR |
| 500+ | 1.33 EUR |
| 1000+ | 1.21 EUR |
| 3000+ | 1.04 EUR |
| 6000+ | 0.99 EUR |
| SQJA61EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.58 EUR |
| 10+ | 2.28 EUR |
| 100+ | 1.54 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| SQJA61EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA61EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 54.5 A, 0.0121 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SQJA61EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 54.5 A, 0.0121 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 54.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 52+ | 4.82 EUR |
| 82+ | 2.86 EUR |
| 117+ | 1.83 EUR |
| 500+ | 1.55 EUR |
| 1000+ | 1.4 EUR |