SQJA61EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.99 EUR |
| 10+ | 1.92 EUR |
| 100+ | 1.33 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 1.02 EUR |
| 3000+ | 0.87 EUR |
| 6000+ | 0.83 EUR |
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Technische Details SQJA61EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQJA61EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 54.5 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SQJA61EP-T1_GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SQJA61EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SQJA61EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 54.5 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO-8L, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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