SQJA66EP-T1_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA66EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.69 EUR |
| 123+ | 1.75 EUR |
| 500+ | 1.39 EUR |
| 1000+ | 1.27 EUR |
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Technische Details SQJA66EP-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJA66EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQJA66EP-T1_GE3 nach Preis ab 0.98 EUR bis 3.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SQJA66EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 4409 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJA66EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA66EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1213 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJA66EP-T1_GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 4409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.87 EUR |
| 10+ | 2.23 EUR |
| 100+ | 1.54 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| 1000+ | 1.12 EUR |
| 3000+ | 1.04 EUR |
| 6000+ | 0.98 EUR |
| SQJA66EP-T1_GE3 |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA66EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQJA66EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 67+ | 3.75 EUR |
| 87+ | 2.69 EUR |
| 123+ | 1.75 EUR |
| 500+ | 1.39 EUR |
| 1000+ | 1.27 EUR |