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SQJA66EP-T1_GE3

SQJA66EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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Technische Details SQJA66EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQJA66EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SQJA66EP-T1_GE3 SQJA66EP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY Description: VISHAY - SQJA66EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
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Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SQJA66EP-T1_GE3 SQJA66EP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY Description: VISHAY - SQJA66EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
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Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SQJA66EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
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SQJA66EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
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