SQJA68EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.19 EUR |
| 10+ | 1.01 EUR |
| 100+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.52 EUR |
| 3000+ | 0.47 EUR |
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Technische Details SQJA68EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQJA68EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.092 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SQJA68EP-T1_GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SQJA68EP-T1_GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SQJA68EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.092 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5633 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SQJA68EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L |
auf Bestellung 3912 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SQJA68EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQJA68EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA68EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.092 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SQJA68EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.092 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SQJA68EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
Description: MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
auf Bestellung 3912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SQJA68EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
Description: MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH