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SQJA68EP-T1_GE3

SQJA68EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

sqja68ep.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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Technische Details SQJA68EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQJA68EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0765 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Anzahl der Pins: 8Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0765ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SQJA68EP-T1_GE3 SQJA68EP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 2340278.pdf Description: VISHAY - SQJA68EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0765 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0765ohm
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SQJA68EP-T1_GE3 SQJA68EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqja68ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
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SQJA68EP-T1_GE3 SQJA68EP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 2340278.pdf Description: VISHAY - SQJA68EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0765 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0765ohm
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SQJA68EP-T1_GE3 SQJA68EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqja68ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
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