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SQJA72EP-T1

Produktcode: 147923
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQJA72EP-T1_GE3 SQJA72EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0014753812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJA72EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
128+1.68 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
5000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQJA72EP-T1_GE3 SQJA72EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja72ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.89 EUR
10+2.36 EUR
100+1.83 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SQJA72EP-T1_GE3 SQJA72EP-T1_GE3 VISHAY sqja72ep.pdf Description: VISHAY - SQJA72EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.62 EUR
91+2.57 EUR
128+1.68 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
5000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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SQJA72EP-T1_GE3 SQJA72EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqja72ep-1274958.pdf MOSFET 100V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 9802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SQJA72EP-T1_GE3 VISH-S-A0014753812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJA72EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA72EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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128+1.68 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
5000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQJA72EP-T1_GE3 sqja72ep.pdf
SQJA72EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2811 Stücke:
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100+1.83 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.27 EUR
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SQJA72EP-T1_GE3 sqja72ep.pdf
SQJA72EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA72EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+3.62 EUR
91+2.57 EUR
128+1.68 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
5000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA72EP-T1_GE3 sqja72ep-1274958.pdf
SQJA72EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 100V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 9802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH