SQJA80EP-T1_GE3 Vishay
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| 175+ | 0.84 EUR |
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Technische Details SQJA80EP-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQJA80EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0058 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQJA80EP-T1_GE3 nach Preis ab 0.57 EUR bis 2.08 EUR
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Preis | ||||||||||||||||||
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SQJA80EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 80V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO |
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SQJA80EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-Channel 80V PowerPAK SO-8L |
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SQJA80EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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SQJA80EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA80EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0058 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
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SQJA80EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA80EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0058 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
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SQJA80EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO |
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SQJA80EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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