SQJA82EP-T1_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYDescription: VISHAY - SQJA82EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 8200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15591 Stücke:
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Technische Details SQJA82EP-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJA82EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 8200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 |
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auf Bestellung 321 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJA82EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA82EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 8200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 15591 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJA82EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |