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SQJA96EP-T1_GE3

SQJA96EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqja96ep.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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Technische Details SQJA96EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJA96EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0179 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0179ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQJA96EP-T1_GE3 SQJA96EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqja96ep.pdf MOSFETs 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
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SQJA96EP-T1_GE3 SQJA96EP-T1_GE3 VISHAY sqja96ep.pdf Description: VISHAY - SQJA96EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0179 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0179ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 10817 Stücke:
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127+1.83 EUR
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SQJA96EP-T1_GE3 SQJA96EP-T1_GE3 VISHAY sqja96ep.pdf Description: VISHAY - SQJA96EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0179 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0179ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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MOSFETs 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA96EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0179 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0179ohm
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0179ohm
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