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SQJB00EP-T1_GE3

SQJB00EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

sqjb00ep.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified
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Technische Details SQJB00EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQJB00EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0105 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0105ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0105ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SQJB00EP-T1_GE3 SQJB00EP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqjb00ep.pdf Description: VISHAY - SQJB00EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0105 ohm
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Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0105ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SQJB00EP-T1_GE3 SQJB00EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqjb00ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
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SQJB00EP-T1_GE3 SQJB00EP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqjb00ep.pdf Description: VISHAY - SQJB00EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0105 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung, p-Kanal: 48W
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0105ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
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SQJB00EP-T1_GE3 SQJB00EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqjb00ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
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