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SQJB04ELP-T1_GE3

SQJB04ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqjb04elp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 27W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.75 EUR
6000+0.7 EUR
9000+0.68 EUR
15000+0.64 EUR
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Technische Details SQJB04ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJB04ELP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 7800 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7800µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 27W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Weitere Produktangebote SQJB04ELP-T1_GE3 nach Preis ab 0.71 EUR bis 2.87 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQJB04ELP-T1_GE3 SQJB04ELP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqjb04elp.pdf MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.55 EUR
100+1.08 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
3000+0.71 EUR
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SQJB04ELP-T1_GE3 SQJB04ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb04elp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 27W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
auf Bestellung 16695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.87 EUR
12+1.81 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SQJB04ELP-T1_GE3 SQJB04ELP-T1_GE3 VISHAY sqjb04elp.pdf Description: VISHAY - SQJB04ELP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 7800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SQJB04ELP-T1_GE3 SQJB04ELP-T1_GE3 VISHAY sqjb04elp.pdf Description: VISHAY - SQJB04ELP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 7800 µohm
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euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQJB04ELP-T1_GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.31 EUR
10+1.55 EUR
100+1.08 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
3000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SQJB04ELP-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 27W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
auf Bestellung 16695 Stücke:
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8+2.87 EUR
12+1.81 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
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SQJB04ELP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB04ELP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 7800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SQJB04ELP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB04ELP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 7800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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