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SQJB04ELP-T1_GE3

SQJB04ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqjb04elp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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Technische Details SQJB04ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJB04ELP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0078 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0078ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 27W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote SQJB04ELP-T1_GE3 nach Preis ab 0.60 EUR bis 2.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SQJB04ELP-T1_GE3 SQJB04ELP-T1_GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sqjb04elp.pdf MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
auf Bestellung 264 Stücke:
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10+1.30 EUR
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SQJB04ELP-T1_GE3 SQJB04ELP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqjb04elp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 22366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.43 EUR
12+1.54 EUR
100+1.03 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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SQJB04ELP-T1_GE3 SQJB04ELP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 3983273.pdf Description: VISHAY - SQJB04ELP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0078 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0078ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SQJB04ELP-T1_GE3 SQJB04ELP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 3983273.pdf Description: VISHAY - SQJB04ELP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0078 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0078ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SQJB04ELP-T1/GE3 Hersteller : Vishay MOSFETs
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