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SQJB44EP-T1_GE3

SQJB44EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

sqjb44ep.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
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Technische Details SQJB44EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQJB44EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 4100 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4100µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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SQJB44EP-T1_GE3 SQJB44EP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 3983274.pdf Description: VISHAY - SQJB44EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 4100 µohm
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SQJB44EP-T1_GE3 SQJB44EP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 3983274.pdf Description: VISHAY - SQJB44EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 4100 µohm
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4100µohm
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Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SQJB44EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqjb44ep.pdf Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET
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SQJB44EP-T1_GE3 SQJB44EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqjb44ep.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
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SQJB44EP-T1_GE3 SQJB44EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqjb44ep.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
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