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SQJB68EP-T1_GE3

SQJB68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqjb68ep.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.75 EUR
6000+0.71 EUR
9000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details SQJB68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJB68EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0765 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0765ohm, Verlustleistung Pd: 27W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung, p-Kanal: 27W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0765ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 27W, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0765ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Weitere Produktangebote SQJB68EP-T1_GE3 nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQJB68EP-T1_GE3 SQJB68EP-T1_GE3 Vishay sqjb68ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.51 EUR
118+1.48 EUR
119+1.44 EUR
153+1.08 EUR
250+1.06 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.65 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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SQJB68EP-T1_GE3 SQJB68EP-T1_GE3 Vishay sqjb68ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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104+1.7 EUR
116+1.46 EUR
118+1.39 EUR
119+1.33 EUR
153+0.99 EUR
250+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB68EP-T1_GE3 SQJB68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb68ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 27W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 17068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
15+1.49 EUR
100+1.17 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB68EP-T1_GE3 SQJB68EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqjb68ep.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 437 Stücke:
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2+1.84 EUR
10+1.65 EUR
100+1.29 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.84 EUR
3000+0.79 EUR
6000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB68EP-T1_GE3 SQJB68EP-T1_GE3 VISHAY sqjb68ep.pdf Description: VISHAY - SQJB68EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0765 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0765ohm
Verlustleistung Pd: 27W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung, p-Kanal: 27W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0765ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0765ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 15000 Stücke:
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97+2.59 EUR
114+2.03 EUR
158+1.36 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.88 EUR
3000+0.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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SQJB68EP-T1_GE3 SQJB68EP-T1_GE3 VISHAY 2687569.pdf Description: VISHAY - SQJB68EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0765 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0765ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 27W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0765ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 15000 Stücke:
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100+2.62 EUR
113+2.07 EUR
156+1.38 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.89 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQJB68EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
116+1.51 EUR
118+1.48 EUR
119+1.44 EUR
153+1.08 EUR
250+1.06 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.65 EUR
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Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+1.7 EUR
116+1.46 EUR
118+1.39 EUR
119+1.33 EUR
153+0.99 EUR
250+0.94 EUR
500+0.74 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SQJB68EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 27W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 17068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.82 EUR
15+1.49 EUR
100+1.17 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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SQJB68EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.84 EUR
10+1.65 EUR
100+1.29 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.84 EUR
3000+0.79 EUR
6000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SQJB68EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB68EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0765 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0765ohm
Verlustleistung Pd: 27W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung, p-Kanal: 27W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0765ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0765ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
97+2.59 EUR
114+2.03 EUR
158+1.36 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.88 EUR
3000+0.82 EUR
6000+0.75 EUR
12000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB68EP-T1_GE3 2687569.pdf
SQJB68EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB68EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0765 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0765ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 27W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0765ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.62 EUR
113+2.07 EUR
156+1.38 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.89 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH