SQJB80EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 2.43 EUR |
| 11+ | 1.71 EUR |
| 100+ | 1.29 EUR |
| 500+ | 1.02 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
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Technische Details SQJB80EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SQJB80EP-T1_GE3 nach Preis ab 0.82 EUR bis 2.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SQJB80EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 90249 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJB80EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 4969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJB80EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 4969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJB80EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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