SQJQ130EL-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 455 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23345 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details SQJQ130EL-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJQ130EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 445 A, 520 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 445A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 600W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm.
Weitere Produktangebote SQJQ130EL-T1_GE3 nach Preis ab 3.44 EUR bis 10.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SQJQ130EL-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ130EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 445 A, 520 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 445A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 600W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm |
auf Bestellung 1425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJQ130EL-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 9108 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJQ130EL-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 445A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 455 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23345 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3874 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJQ130EL-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ130EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 445 A, 520 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 445A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 600W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm |
auf Bestellung 1425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJQ130EL-T1_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 445A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SQJQ130EL-T1_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 445A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQJQ130EL-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ130EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 445 A, 520 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
Description: VISHAY - SQJQ130EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 445 A, 520 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.28 EUR |
| 500+ | 3.72 EUR |
| 1000+ | 3.67 EUR |
| SQJQ130EL-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 9108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.9 EUR |
| 10+ | 5.89 EUR |
| 100+ | 4.19 EUR |
| 500+ | 3.64 EUR |
| 2000+ | 3.44 EUR |
| SQJQ130EL-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 455 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23345 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 455 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23345 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 9.07 EUR |
| 10+ | 6 EUR |
| 100+ | 4.25 EUR |
| 500+ | 3.7 EUR |
| SQJQ130EL-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ130EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 445 A, 520 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
Description: VISHAY - SQJQ130EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 445 A, 520 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 24+ | 10.61 EUR |
| 36+ | 6.52 EUR |
| 100+ | 4.28 EUR |
| 500+ | 3.72 EUR |
| 1000+ | 3.67 EUR |
| SQJQ130EL-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 445A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 30V 445A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SQJQ130EL-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 445A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 30V 445A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)