SQJQ131EL-T1_GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 5.24 EUR |
| 10+ | 4.4 EUR |
| 25+ | 4.28 EUR |
| 100+ | 3.57 EUR |
| 250+ | 3.45 EUR |
| 500+ | 3.17 EUR |
| 1000+ | 2.71 EUR |
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Technische Details SQJQ131EL-T1_GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SQJQ131EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 280 A, 0.001 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 280A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 600W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQJQ131EL-T1_GE3 nach Preis ab 2.58 EUR bis 7.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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SQJQ131EL-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33050 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
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SQJQ131EL-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ131EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 280 A, 0.001 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SQJQ131EL-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ131EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 280 A, 0.001 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 600W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SQJQ131EL-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 280A Automotive AEC-Q101 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQJQ131EL-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33050 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
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