SQJQ140ER-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 8 x 8LR, 0.65 mohm a. 10V
MOSFETs Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 8 x 8LR, 0.65 mohm a. 10V
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 6.18 EUR |
| 10+ | 5.19 EUR |
| 25+ | 4.89 EUR |
| 100+ | 4.19 EUR |
| 250+ | 3.96 EUR |
| 500+ | 3.73 EUR |
| 1000+ | 3.19 EUR |
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Technische Details SQJQ140ER-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQJQ140ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 413 A, 570 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 413A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SQJQ140ER-T1_GE3
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Preis |
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SQJQ140ER-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SQJQ140ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 413 A, 570 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 413A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm SVHC: To Be Advised |
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SQJQ140ER-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ140ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 413 A, 570 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 413A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm SVHC: To Be Advised |
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