SQJQ144AE-T1_GE3 Vishay Semiconductors
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.35 EUR |
| 10+ | 3.63 EUR |
| 100+ | 2.9 EUR |
| 250+ | 2.68 EUR |
| 500+ | 2.43 EUR |
| 1000+ | 2.08 EUR |
| 2000+ | 1.97 EUR |
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Technische Details SQJQ144AE-T1_GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SQJQ144AE-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 575A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET GEN IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SQJQ144AE-T1_GE3 nach Preis ab 2.63 EUR bis 5.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SQJQ144AE-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SQJQ144AE-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 900 µohm, PowerPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 575A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET GEN IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJQ144AE-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ144AE-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 575A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET GEN IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJQ144AE-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJQ144AE-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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