SQJQ146E-T1_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ146E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 487 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 487A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.67 EUR |
| 500+ | 3.08 EUR |
| 1000+ | 3.02 EUR |
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Technische Details SQJQ146E-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ146E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 487 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 487A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm.
Weitere Produktangebote SQJQ146E-T1_GE3 nach Preis ab 2.83 EUR bis 9.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SQJQ146E-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET |
auf Bestellung 1855 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJQ146E-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ146E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 487 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 487A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm |
auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJQ146E-T1_GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET
MOSFETs Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.72 EUR |
| 10+ | 5.09 EUR |
| 100+ | 3.58 EUR |
| 500+ | 3.01 EUR |
| 2000+ | 2.83 EUR |
| SQJQ146E-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ146E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 487 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
Description: VISHAY - SQJQ146E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 487 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 28+ | 9.22 EUR |
| 42+ | 5.64 EUR |
| 100+ | 3.67 EUR |
| 500+ | 3.08 EUR |
| 1000+ | 3.02 EUR |