SQJQ148ER-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 5.19 EUR |
| 10+ | 3.4 EUR |
| 100+ | 2.36 EUR |
| 500+ | 2.04 EUR |
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Technische Details SQJQ148ER-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJQ148ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 1500 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 372A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 394W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 394W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SQJQ148ER-T1_GE3 nach Preis ab 1.94 EUR bis 5.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SQJQ148ER-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 4883 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJQ148ER-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ148ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 1500 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 372A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 394W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2048 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SQJQ148ER-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ148ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 1500 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 372A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 394W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 394W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2048 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQJQ148ER-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 4883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.53 EUR |
| 10+ | 3.59 EUR |
| 100+ | 2.53 EUR |
| 500+ | 2.06 EUR |
| 1000+ | 2.04 EUR |
| 2000+ | 1.94 EUR |
| SQJQ148ER-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ148ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 1500 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 372A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SQJQ148ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 1500 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SQJQ148ER-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ148ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 1500 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 394W
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Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SQJQ148ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 1500 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 394W
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Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH