SQJQ150E-T1_GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 3.91 EUR |
| 10+ | 2.85 EUR |
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| 500+ | 1.72 EUR |
| 1000+ | 1.65 EUR |
| 4000+ | 1.56 EUR |
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Technische Details SQJQ150E-T1_GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SQJQ150E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.0015 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 233A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 187W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 187W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SQJQ150E-T1_GE3 nach Preis ab 1.66 EUR bis 4.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SQJQ150E-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 233A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4643 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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SQJQ150E-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ150E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.0015 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 233A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: To Be Advised |
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SQJQ150E-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ150E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.0015 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 233A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 187W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: To Be Advised |
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SQJQ150E-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 233A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4643 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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