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| 500+ | 2.87 EUR |
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Technische Details SQJQ160EL-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQJQ160EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 461 A, 800 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 461A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 348W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SQJQ160EL-T1_GE3
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Verfügbarkeit |
Preis |
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SQJQ160EL-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SQJQ160EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 461 A, 800 µohm, PowerPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 461A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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