| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.83 EUR |
| 10+ | 5.13 EUR |
| 100+ | 3.86 EUR |
| 500+ | 3.42 EUR |
| 1000+ | 3.33 EUR |
| 2000+ | 2.81 EUR |
| 4000+ | 2.76 EUR |
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Technische Details SQJQ160EL-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQJQ160EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 461 A, 800 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 461A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 348W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SQJQ160EL-T1_GE3 nach Preis ab 6.33 EUR bis 10.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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SQJQ160EL-T1_GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SQJQ160EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 461 A, 800 µohm, PowerPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 461A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJQ160EL-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ160EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 461 A, 800 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SQJQ160EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 461 A, 800 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 10.4 EUR |
| 37+ | 6.33 EUR |