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SQJQ184E-T1_GE3

SQJQ184E-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqjq184e.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2000+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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Technische Details SQJQ184E-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 430A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SQJQ184E-T1_GE3 nach Preis ab 1.88 EUR bis 7.55 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SQJQ184E-T1_GE3 SQJQ184E-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqjq184e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 430A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
auf Bestellung 1328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
36+4.10 EUR
41+3.49 EUR
43+3.17 EUR
50+3.02 EUR
100+2.64 EUR
250+2.38 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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SQJQ184E-T1_GE3 SQJQ184E-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqjq184e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 430A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
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36+4.10 EUR
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250+2.38 EUR
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Mindestbestellmenge: 36
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SQJQ184E-T1_GE3 SQJQ184E-T1_GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sqjq184e.pdf MOSFETs Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET , 1.4 mO 10V
auf Bestellung 4193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.60 EUR
10+4.70 EUR
25+4.44 EUR
100+3.80 EUR
250+3.61 EUR
500+3.40 EUR
1000+3.08 EUR
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SQJQ184E-T1_GE3 SQJQ184E-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqjq184e.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4703 Stücke:
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3+7.55 EUR
10+5.00 EUR
100+3.54 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.72 EUR
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SQJQ184E-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqjq184e.pdf Description: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SQJQ184E-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqjq184e.pdf Description: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SQJQ184E-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqjq184e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 430A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
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SQJQ184E-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqjq184e.pdf SQJQ184E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SQJQ184E-T1/GE3 Hersteller : Vishay MOSFET
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