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Technische Details SQJQ186ER-T1_GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 329A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SQJQ186ER-T1_GE3
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SQJQ186ER-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 2300 µohm, PowerPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 329A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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SQJQ186ER-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 329A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJQ186ER-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 329A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10552 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQJQ186ER-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 329A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10552 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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