SQJQ186ER-T1_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 329A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.34 EUR |
| 500+ | 2.74 EUR |
| 1000+ | 2.62 EUR |
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Technische Details SQJQ186ER-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 329A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SQJQ186ER-T1_GE3 nach Preis ab 2.62 EUR bis 7.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SQJQ186ER-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET |
auf Bestellung 3111 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJQ186ER-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 329A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5556 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJQ186ER-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET
MOSFET
auf Bestellung 3111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.43 EUR |
| 10+ | 4.57 EUR |
| 25+ | 4.32 EUR |
| 100+ | 3.69 EUR |
| 250+ | 3.47 EUR |
| 500+ | 3.27 EUR |
| 1000+ | 2.81 EUR |
| SQJQ186ER-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 34+ | 7.57 EUR |
| 46+ | 5.15 EUR |
| 100+ | 3.34 EUR |
| 500+ | 2.74 EUR |
| 1000+ | 2.62 EUR |