SQJQ510ER-T1_GE3 Vishay Semiconductors
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.15 EUR |
| 10+ | 4.73 EUR |
| 100+ | 3.36 EUR |
| 500+ | 3.15 EUR |
| 2000+ | 2.94 EUR |
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Technische Details SQJQ510ER-T1_GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SQJQ510ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 1860 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 225A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SQJQ510ER-T1_GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SQJQ510ER-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ510ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 1860 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 225A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SQJQ510ER-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ510ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 1860 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 225A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 65 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQJQ510ER-T1_GE3 |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ510ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 1860 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SQJQ510ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 1860 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| SQJQ510ER-T1_GE3 |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ510ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 1860 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SQJQ510ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 1860 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)