SQJQ510ER-T1_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ510ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 1860 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 5.25 EUR |
| 500+ | 4.58 EUR |
| 1000+ | 4.33 EUR |
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Technische Details SQJQ510ER-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ510ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 1860 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 225A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm.
Weitere Produktangebote SQJQ510ER-T1_GE3 nach Preis ab 3.53 EUR bis 13.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SQJQ510ER-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 5627 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJQ510ER-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJQ510ER-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ510ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 1860 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 225A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm |
auf Bestellung 1188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJQ510ER-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 5627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.65 EUR |
| 10+ | 4.99 EUR |
| 100+ | 4.55 EUR |
| 500+ | 3.96 EUR |
| 1000+ | 3.75 EUR |
| 2000+ | 3.53 EUR |
| SQJQ510ER-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 9.82 EUR |
| 10+ | 6.5 EUR |
| 50+ | 5.07 EUR |
| 100+ | 4.61 EUR |
| 500+ | 4.02 EUR |
| SQJQ510ER-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ510ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 1860 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm
Description: VISHAY - SQJQ510ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 1860 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
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usEccn: EAR99
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 20+ | 13.02 EUR |
| 37+ | 6.28 EUR |
| 100+ | 5.25 EUR |
| 500+ | 4.58 EUR |
| 1000+ | 4.33 EUR |