SQJQ900E-T1_GE3 Vishay / Siliconix
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.21 EUR |
| 10+ | 3.43 EUR |
| 100+ | 2.8 EUR |
| 250+ | 2.59 EUR |
| 500+ | 2.34 EUR |
| 1000+ | 2.01 EUR |
| 2000+ | 1.95 EUR |
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Technische Details SQJQ900E-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 75W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 75W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SQJQ900E-T1_GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SQJQ900E-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
 MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
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SQJQ900E-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm Verlustleistung, p-Kanal: 75W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 75W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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SQJQ900E-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm Verlustleistung, p-Kanal: 75W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 75W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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