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SQJQ900E-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Name: SQJQ900E-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 36638040-4
Price: 4.21 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Technische Details SQJQ900E-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0034ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 75W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0034ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 75W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
SQJQ900E-T1_GE3	Hersteller : VISHAY	Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 75W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 75W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 1801 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQJQ900E-T1_GE3	Hersteller : Vishay Semiconductors	MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified	auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQJQ900E-T1_GE3	Hersteller : VISHAY	Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 75W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 75W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 1801 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQJQ900E-T1_GE3	Hersteller : VISHAY	SQJQ900E-T1-GE3 Multi channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH