SQJQ900E-T1_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
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Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.05 EUR |
| 500+ | 2.46 EUR |
| 1000+ | 2.44 EUR |
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Technische Details SQJQ900E-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 75W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 75W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote SQJQ900E-T1_GE3 nach Preis ab 2.32 EUR bis 7.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SQJQ900E-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJQ900E-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm Verlustleistung, p-Kanal: 75W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 75W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJQ900E-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQJQ900E-T1_GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
MOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.01 EUR |
| 10+ | 4.08 EUR |
| 100+ | 3.33 EUR |
| 250+ | 3.08 EUR |
| 500+ | 2.78 EUR |
| 1000+ | 2.39 EUR |
| 2000+ | 2.32 EUR |
| SQJQ900E-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 33+ | 7.77 EUR |
| 52+ | 4.55 EUR |
| 100+ | 3.05 EUR |
| 500+ | 2.46 EUR |
| 1000+ | 2.44 EUR |
| SQJQ900E-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)