SQJQ904E-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 4.73 EUR |
| 10+ | 3.98 EUR |
| 100+ | 3.22 EUR |
| 500+ | 2.86 EUR |
| 1000+ | 2.45 EUR |
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Technische Details SQJQ904E-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJQ904E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0034ohm, Verlustleistung Pd: 135W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung, p-Kanal: 135W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0034ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 135W, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SQJQ904E-T1_GE3 nach Preis ab 2.46 EUR bis 4.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SQJQ904E-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 4658 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJQ904E-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ904E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0034ohm Verlustleistung Pd: 135W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung, p-Kanal: 135W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 135W Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJQ904E-T1_GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 2294 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJQ904E-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 75W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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