
SQJQ980EL-T1_GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SQJQ980EL-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQJQ980EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 36 A, 36 A, 0.0036 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0036ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 187W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0036ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 187W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SQJQ980EL-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0036ohm Verlustleistung, p-Kanal: 187W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0036ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 187W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJQ980EL-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
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auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |