SQM100N04-2m7_GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SQM100N04-2m7_GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 98A; 157W; D2PAK,TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 98A, Power dissipation: 157W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.7mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 95.5nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SQM100N04-2m7_GE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SQM100N04-2m7_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 98A; 157W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 98A Power dissipation: 157W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95.5nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SQM100N04-2M7_GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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SQM100N04-2m7_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263 |
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SQM100N04-2M7-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 |
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SQM100N04-2M7-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM100N04-2M7_GE3 |
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SQM100N04-2m7_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 98A; 157W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 98A Power dissipation: 157W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95.5nC Kind of channel: enhanced |
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