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SQM120N06-3m5L_GE3

SQM120N06-3m5L_GE3 Vishay Siliconix


sqm120n06-3m5l.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:

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Technische Details SQM120N06-3m5L_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote SQM120N06-3m5L_GE3 nach Preis ab 3.15 EUR bis 6.9 EUR

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SQM120N06-3m5L_GE3 SQM120N06-3m5L_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqm120n06-3m5l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 975 Stücke:
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SQM120N06-3m5L_GE3 SQM120N06-3m5L_GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sqm120n06-3m5l.pdf MOSFETs 60 V 120A 375 W AEC-Q101 Qualified
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SQM120N06-3M5L_GE3 SQM120N06-3M5L_GE3 Hersteller : VISHAY sqm120n06-3m5l.pdf Description: VISHAY - SQM120N06-3M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SQM120N06-3M5L_GE3 SQM120N06-3M5L_GE3 Hersteller : VISHAY sqm120n06-3m5l.pdf Description: VISHAY - SQM120N06-3M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SQM120N06-3M5L_GE3 SQM120N06-3M5L_GE3 Hersteller : Vishay sqm120n06-3m5l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 800 Stücke:
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SQM120N06-3M5L-GE3 SQM120N06-3M5L-GE3 Hersteller : Vishay sqm120n06-3m5l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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SQM120N06-3m5L_GE3 SQM120N06-3m5L_GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC9C755798B0143&compId=SQM120N06-3M5L.pdf?ci_sign=113b26a62063d1a3d5b25174aae34763cef29fc1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SQM120N06-3M5L-GE3 SQM120N06-3M5L-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT SQM1
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SQM120N06-3m5L_GE3 SQM120N06-3m5L_GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC9C755798B0143&compId=SQM120N06-3M5L.pdf?ci_sign=113b26a62063d1a3d5b25174aae34763cef29fc1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhancement
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