SQM120N06-3m5L_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 7.67 EUR |
| 10+ | 5.11 EUR |
| 100+ | 3.65 EUR |
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Technische Details SQM120N06-3m5L_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SQM120N06-3m5L_GE3 nach Preis ab 3.31 EUR bis 8.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SQM120N06-3m5L_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60 V 120A 375 W AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 1015 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQM120N06-3M5L_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQM120N06-3M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 456 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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SQM120N06-3M5L_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQM120N06-3M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 456 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQM120N06-3m5L_GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60 V 120A 375 W AEC-Q101 Qualified
MOSFETs 60 V 120A 375 W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.38 EUR |
| 10+ | 5.56 EUR |
| 100+ | 3.98 EUR |
| 500+ | 3.31 EUR |
| SQM120N06-3M5L_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM120N06-3M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SQM120N06-3M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SQM120N06-3M5L_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM120N06-3M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SQM120N06-3M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH