SQM30010EL_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM30010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 1350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.81 EUR |
| 500+ | 3.13 EUR |
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Technische Details SQM30010EL_GE3 VISHAY
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Weitere Produktangebote SQM30010EL_GE3 nach Preis ab 3.13 EUR bis 9.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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SQM30010EL_GE3 | VISHAY |
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auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQM30010EL_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO263 |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQM30010EL_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM30010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 1350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Description: VISHAY - SQM30010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 1350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 28+ | 9.09 EUR |
| 42+ | 5.55 EUR |
| 100+ | 3.81 EUR |
| 500+ | 3.13 EUR |
| SQM30010EL_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO263
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO263
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)