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SQM40010EL_GE3

SQM40010EL_GE3 Vishay

sqm40010el.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
58+3.06 EUR
64+2.73 EUR
65+2.63 EUR
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Technische Details SQM40010EL_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQM40010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQM40010EL_GE3 SQM40010EL_GE3 Vishay sqm40010el.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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58+3.06 EUR
64+2.67 EUR
65+2.53 EUR
66+2.42 EUR
100+2.27 EUR
250+2.13 EUR
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SQM40010EL_GE3 SQM40010EL_GE3 VISHAY VISH-S-A0002292487-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM40010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQM40010EL_GE3 SQM40010EL_GE3 Vishay Siliconix sqm40010el.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.02 EUR
10+4.61 EUR
100+3.24 EUR
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SQM40010EL_GE3 SQM40010EL_GE3 Vishay / Siliconix sqm40010el.pdf MOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 1186 Stücke:
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1+7.03 EUR
10+4.63 EUR
100+3.25 EUR
500+3.06 EUR
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SQM40010EL_GE3 SQM40010EL_GE3 VISHAY VISH-S-A0002292487-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM40010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 527 Stücke:
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30+8.45 EUR
46+5.15 EUR
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SQM40010EL_GE3 sqm40010el.pdf
SQM40010EL_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1220 Stücke:
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64+2.67 EUR
65+2.53 EUR
66+2.42 EUR
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SQM40010EL_GE3 VISH-S-A0002292487-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQM40010EL_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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SQM40010EL_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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3+7.02 EUR
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100+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SQM40010EL_GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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10+4.63 EUR
100+3.25 EUR
500+3.06 EUR
800+2.89 EUR
2400+2.75 EUR
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SQM40010EL_GE3 VISH-S-A0002292487-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQM40010EL_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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AnzahlPrivatkunde
30+8.45 EUR
46+5.15 EUR
100+3.34 EUR
500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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