SQM40016EM_GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SQM40016EM_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQM40016EM_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 810 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SQM40016EM_GE3
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SQM40016EM_GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SQM40016EM_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 810 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm SVHC: To Be Advised |
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SQM40016EM_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 250A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQM40016EM_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 250A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQM40016EM_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 250A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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SQM40016EM_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 250A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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